CY62126EV30LL-45ZSXIT

CY62126EV30LL-45ZSXIT是一款高性能CMOS静态RAM，采用64K字×16位结构。该器件通过先进电路设计实现超低工作电流，特别适用于手机等便携设备实现"延长电池寿命™"（MoBL®）功能。 该器件还具备自动断电功能，可在地址未切换时显著降低功耗。当器件处于待机模式（低电平有效CE高电平）时，功耗可降低99%以上。当器件未选通（低电平有效CE高电平）时，输入输出引脚（I/O0至I/O15）处于高阻抗状态； 输出禁用（OE HIGH时为低电平有效），字节高使能与字节低使能同时禁用（BHE为低电平有效，BLE为高电平有效），或处于写入操作期间（CE为低电平有效且WE为低电平有效）。

• 高速：45ns
• 2.2V至3.6V宽电压范围
• 与CY62126DV30引脚兼容
• 最大待机电流为4µA
• 在f=1MHz 时，典型有效电流为 1.3mA
• 利用低电平有效 CE 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
• 未选中时自动断电
• 互补金属氧化物半导体 (CMOS)，实现最佳速度和功耗
• 44 引脚 TSOP II 封装
• 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C

警告

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