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CY62128EV30LL-45SXI
SRAM, 异步SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, SOIC, 32 引脚, 2.2 V
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|---|---|
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| 10+ | CNY34.100 (CNY38.533) |
| 25+ | CNY28.260 (CNY31.9338) |
| 50+ | CNY25.330 (CNY28.6229) |
| 100+ | CNY23.380 (CNY26.4194) |
| 250+ | CNY21.820 (CNY24.6566) |
| 500+ | CNY20.660 (CNY23.3458) |
| 1000+ | CNY19.870 (CNY22.4531) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62128EV30LL-45SXI
库存编号2767905
也称为SP005641803, CY62128EV30LL-45SXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度1Mbit
记忆配置128K x 8位
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数32引脚
电源电压最小值2.2V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
CY62128EV30LL-45SXI是一款高性能CMOS静态RAM模块，采用128K字×8位结构。该器件通过先进电路设计实现超低工作电流，是便携式应用中提供MoBL®的理想选择。其自动断电功能可在地址未切换时显著降低功耗。进入待机模式时，未选中状态下功耗可降低99%以上。当设备未被选中、输出禁用或进行写操作时，八个输入输出引脚均置于高阻抗状态。写入操作需将芯片使能与写使能引脚置低。此时数据将写入地址引脚指定位置的八个I/O引脚。读取操作需将芯片使能与输出使能置低，同时强制写使能置高。在此条件下，地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。
- 极高速度：45ns
- 2.2V至3.6V宽电压范围
- 与CY62128DV30引脚兼容
- 待机电流超低：1µA（典型值）
- 超低功耗，典型工作电流：f = 1MHz 时为 1.3mA
- 通过低电平有效CE1/CE2与低电平有效OE功能实现便捷内存扩展
- 未选中时自动断电
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS)，实现最佳速度和功耗
- 90纳米工艺技术
- 工作温度范围：-40°C至85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
128K x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
1Mbit
IC 外壳 / 封装
SOIC
电源电压最小值
2.2V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0013