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CY7C1021DV33-10ZSXIT
SRAM, 异步SRAM, 1 Mbit, 64K x 16位, TSOP-II, 44 引脚, 3 V
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|---|---|
| 1+ | CNY24.600 (CNY27.798) |
| 10+ | CNY21.480 (CNY24.2724) |
| 25+ | CNY21.330 (CNY24.1029) |
| 50+ | CNY21.180 (CNY23.9334) |
| 100+ | CNY21.030 (CNY23.7639) |
| 250+ | CNY20.870 (CNY23.5831) |
| 500+ | CNY20.340 (CNY22.9842) |
| 1000+ | CNY19.880 (CNY22.4644) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY7C1021DV33-10ZSXIT
库存编号2767936
也称为SP005647837, CY7C1021DV33-10ZSXIT
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度1Mbit
记忆配置64K x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值3V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3.3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY7C1021DV33-10ZSXIT是一款高性能CMOS静态RAM，组织为65,536字×16位。该器件具备自动断电功能，在未选中时可显著降低功耗。 写入操作需将芯片使能（低电平有效CE）和写使能（低电平有效WE）置低。读取操作需将芯片使能（低电平有效CE）和输出使能（低电平有效OE）置低，同时将写使能（低电平有效WE）置高。 当设备未选中时（低电平有效CE为高电平），输入/输出引脚（I/O0至I/O15）处于高阻抗状态；当输出禁用（低电平有效OE为高电平）时， 低电平有效BHE与低电平有效BLE禁用（低电平有效BHE、低电平有效BLE为高电平），或处于写入操作期间（低电平有效CE为低电平，低电平有效WE为低电平）。
- 引脚和功能兼容 CY7C1021CV33
- 高速，tAA=10ns
- VCC工作供电电流在100MHz时最大为60mA，VCC=最大值，IOUT=0mA，f=fMAX=1/tRC
- 自动 CE 关断电流 - CMOS 输入在最大 VCC 时为 3mA，CE<gt/>VCC-0.3V，VIN<gt/>VCC-0.3V/VIN<lt/>0.3V
- 2.0V电压下数据保持能力
- 未选中时自动断电，独立控制高位和低位
- CMOS工艺实现最佳速度与功耗
- Vcc为3.3V ±0.3V
- 44 引脚 TSOP II 型封装
- 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
64K x 16位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
1Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
3V
额定电源电压
3.3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
CY7C1021DV33-10ZSXIT 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.b
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000697