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CY7C1041G30-10ZSXI
SRAM, 异步SRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16位, TSOP-II, 44 引脚, 2.2 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY72.550 (CNY81.9815) |
| 10+ | CNY65.560 (CNY74.0828) |
| 25+ | CNY61.840 (CNY69.8792) |
| 50+ | CNY57.650 (CNY65.1445) |
| 100+ | CNY53.920 (CNY60.9296) |
| 250+ | CNY52.050 (CNY58.8165) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY7C1041G30-10ZSXI
库存编号2767938
也称为SP005647917, CY7C1041G30-10ZSXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度4Mbit
记忆配置256Kword x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值2.2V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压-
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY7C1041G30-10ZSXI是一款内置ECC的高性能CMOS高速静态RAM器件。其ERR引脚可在读取周期中指示错误检测与纠正事件。 数据写入操作需将芯片使能（低电平有效CE）和写使能（低电平有效WE）输入置为低电平，同时通过I/O0至I/O15引脚提供数据，并通过A0至A17引脚提供地址。 数据读取操作需同时将片选（低电平有效CE）和输出使能（低电平有效OE）置低，并在地址线上提供目标地址。当访问位置发生单比特错误时，ERR输出将置高（ERR=HIGH）以指示错误检测与纠正结果。
- 嵌入式ECC用于单比特错误纠正
- 典型工作电流 ICC 为 38mA
- ISB2 待机电流典型值为 6mA
- 1.0V数据保留
- TTL兼容输入与输出
- 错误指示 (ERR) 引脚用于指示 1 位错误检测和纠正
- 2.2V 至 3.6V 电压范围
- 高速，tAA=10ns
- 44 引脚 TSOP II 封装
- 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
256Kword x 16位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
2.2V
额定电源电压
-
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003677