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CY7C1041GN30-10ZSXI
SRAM, 异步SRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16位, TSOP-II, 44 引脚, 2.2 V
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY7C1041GN30-10ZSXI
库存编号2767940
也称为SP005648577, CY7C1041GN30-10ZSXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度4Mbit
记忆配置256Kword x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值2.2V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压-
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY7C1041GN30-10ZSXI是一款高性能CMOS高速静态RAM，组织为256K字×16位。数据写入操作需将芯片使能和写使能输入置为低电平，同时在I/O0至I/O15引脚提供数据，并在A0至A17引脚提供地址。 字节高位使能与字节低位使能输入分别控制指定存储位置上字节与下字节的写操作。低电平有效BHE控制I/O8至I/O15，低电平有效BLE控制I/O0至I/O7。读取操作需将片使能与输出使能输入置为低电平，并在地址线上提供所需地址。 读取数据可通过I/O引脚（I/O0至I/O15）获取。通过有效化所需字节使能信号（低电平有效BHE或BLE），可分别读取指定地址位置的数据高字节或低字节。
- 高速 tAA=10ns
- 低工作电流和待机电流：工作电流 ICC = 典型值 38mA，待机电流 ISB2 = 典型值 6mA
- 电压范围为 2.2V 至 3.6V
- 典型工作电流 ICC 为 38mA（频率 f = fmax）
- 1V数据保留
- TTL兼容输入与输出
- 温度范围从-40到85°C
- 65纳米工艺技术
- 采用44引脚TSOP-II封装
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
256Kword x 16位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
2.2V
额定电源电压
-
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003347