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CY7C1049G30-10VXI
SRAM, 异步SRAM, 4 Mbit, 512K x 8位, SOJ, 36 引脚, 2.2 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY56.040 (CNY63.3252) |
| 10+ | CNY35.410 (CNY40.0133) |
| 25+ | CNY33.350 (CNY37.6855) |
| 50+ | CNY32.440 (CNY36.6572) |
| 100+ | CNY32.220 (CNY36.4086) |
| 250+ | CNY30.930 (CNY34.9509) |
| 500+ | CNY29.630 (CNY33.4819) |
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY7C1049G30-10VXI
库存编号2767942
也称为SP005648609, CY7C1049G30-10VXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度4Mbit
记忆配置512K x 8位
IC 外壳 / 封装SOJ
针脚数36引脚
电源电压最小值2.2V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
CY7C1049G30-10VXI 是一款高性能 CMOS 快速 4-Mbit （512K 字×8 位）静态 RAM 器件，带有嵌入式 ECC。通过将芯片使能（低电平有效 CE）和写使能（低电平有效 WE）输入置低来执行数据写入，同时在 I/O0 至 I/O7 引脚上提供数据，在 A0 至 A18 引脚上提供地址。通过将芯片使能（CE）和输出使能（低电平有效 OE）输入置低，并在地址线上提供所需的地址，即可进行数据读取。读取数据可通过 I/O 线（I/O0 至 I/O7）访问。应用包括人机界面。
- 无 ERR 输出
- 电压范围 2.2V 至 3.6V，10ns 速度，65 nm制程技术
- 工作 ICC 范围为 38mA（典型值，f=fmax.，TA=25°C，VCC=3V）
- CE 自动掉电电流 - CMOS 输入为 6mA（典型值，最大 VCC，0.2V）
- 1.0V 数据保持，TTL 兼容输入和输出
- 错误指示 (ERR) 引脚用于指示 1 位错误检测和纠正
- 输入电容为 10pF（TA=25°C，f=1MHz，VCC=VCC（典型值）
- I/O 电容为 10pF（TA=25°C，f=1MHz，VCC=VCC（典型值）
- 数据保持 VCC 最低为 1V（-40°C 至 85°C）
- 36 引脚模制 SOJ 封装，工业温度范围为 -40°C 至 +85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
512K x 8位
针脚数
36引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
SOJ
电源电压最小值
2.2V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002707