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DF100R07W1H5FPB53BPSA2
IGBT模块, 双 [半桥], 50 A, 1.35 V, 150 °C, Module
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| 10+ | CNY233.040 (CNY263.3352) |
| 50+ | CNY222.410 (CNY251.3233) |
| 100+ | CNY211.760 (CNY239.2888) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号DF100R07W1H5FPB53BPSA2
库存编号3625421
也称为DF100R07W1H5FP_B53, SP001629710
技术数据表
IGBT配置双 [半桥]
连续集电极电流50A
集电极-发射极饱和电压1.35V
功率耗散-
工作温度最高值150°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接压合
最大集电极发射电压650V
IGBT技术Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
晶体管安装面板
产品范围EasyPACK TRENCHSTOP
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
IGBT配置
双 [半桥]
集电极-发射极饱和电压
1.35V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
压合
IGBT技术
Trench Stop 5 H5/ CoolSiC
产品范围
EasyPACK TRENCHSTOP
连续集电极电流
50A
功率耗散
-
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
650V
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001