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DF11MR12W1M1PB11BPSA1
碳化硅MOSFET, 半桥, 双N通道, 50 A, 1.2 kV, 0.0225 ohm, Module
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号DF11MR12W1M1PB11BPSA1
库存编号3577287
产品范围EasyPACK CoolSiC
也称为DF11MR12W1M1P_B11, SP005403179
技术数据表
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY808.460 (CNY913.5598) |
| 5+ | CNY679.330 (CNY767.6429) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号DF11MR12W1M1PB11BPSA1
库存编号3577287
产品范围EasyPACK CoolSiC
也称为DF11MR12W1M1P_B11, SP005403179
技术数据表
MOSFET模块配置半桥
通道类型双N通道
电流, Id 连续50A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0225ohm
晶体管封装类型Module
针脚数-
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散-
工作温度最高值150°C
产品范围EasyPACK CoolSiC
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
50A
漏源接通状态电阻
0.0225ohm
针脚数
-
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
-
产品范围
EasyPACK CoolSiC
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.02268