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产品概述
EVALAUDAMP24TOBO1是GaN e模式高电子迁移率晶体管(HEMT)评估板。该板为双声道设计,支持225W/通道(4ohm负载下±43V)或250W/通道(8ohm负载下±63V)输出功率,适用于Hi-Fi音频系统的半桥式D类功放。 该板演示了如何使用CoolGaN™氮化镓晶体管、IRS20957S控制器IC实现保护电路,并采用IGT40R070D1 E8220晶体管设计最优PCB布局。其核心采用双通道自振荡型PWM调制器,实现最低元件数量、最高性能与强健设计。 该拓扑结构相当于模拟版的二阶Σ-Δ调制,其环路内部设有D类开关级。 相较于载波信号调制,Σ-Δ调制的优势在于其工作原理可将可听频段内的所有误差自然转移至不可听的高频段。典型应用涵盖AV接收器、家庭影院系统、扬声器及乐器放大器。
- IRS20957SPBF + IGT40R070D1 E8220评估板
- 过流保护、高侧和低侧CoolGaN™晶体管及过压保护
- 欠压保护、高侧/低侧CoolGaN™晶体管及过温保护
- 自振荡半桥拓扑结构,可选时钟同步
- 双极电源范围:±38V至±75V
- 额定负载阻抗范围为4至8欧姆
- 500KHz 自振荡频率
- 33dB电压增益,单通道驱动时通道效率达96%,250W功率,D类放大级
- ±67mA/±85mA(无输入信号时)±43/±63V 空闲供电电流
- Sigma-Delta调制使设计者能够应用充分的误差校正
技术规格
硅芯制造商
Infineon
套件应用类型
电源管理
内核架构
-
硅芯系列号
-
产品范围
-
硅芯号
IRS20957SPBF, IGT40R070D1 E8220
应用系统子类型
栅极驱动器
内核子架构
-
套件内容
评估板IRS20957SPBF, IGT40R070D1 E8220
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.25