打印页面
FM18W08-SGTR
铁电存储器(FRAM), 256 Kbit(32K x 8)并行, 70 ns访问, 2.7 V至5.5 V电源, SOIC-28
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：30 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY95.100 (CNY107.463) |
| 10+ | CNY88.760 (CNY100.2988) |
| 25+ | CNY86.360 (CNY97.5868) |
| 50+ | CNY85.090 (CNY96.1517) |
| 100+ | CNY83.230 (CNY94.0499) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY95.10 (CNY107.46 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM18W08-SGTR
库存编号2772907
也称为SP005659311, FM18W08-SGTR
技术数据表
存储密度256Kbit
记忆配置32K x 8位
接口并行口
时钟频率最大值-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值5.5V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数28引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FM18W08-SGTR是一款非易失性、256千位（32K×8）宽电压字节级F-RAM存储器。其读写特性与标准SRAM相似。 铁电随机存取存储器（F-RAM）具有非易失性，即断电后数据仍可保留。其数据保持时间超过151年，同时消除了电池备份SRAM（BBSRAM）存在的可靠性隐患、功能缺陷及系统设计复杂性。凭借快速写入时序和高写入耐受性，F-RAM在性能上超越其他存储器类型。 FM18W08的工作原理与其他RAM器件相似，因此可直接替代系统中的标准SRAM。其最小读写周期时间相等。基于独特的铁电存储工艺，该F-RAM具有非易失性特征。这些特性使FM18W08成为需要频繁或快速写入操作的非易失性存储应用的理想选择。
- 高耐久性：100万亿次（10^14）读写操作，支持NoDelay™写入技术
- 先进高可靠性铁电工艺
- 兼容SRAM和EEPROM，70ns访问时间，130ns周期时间
- 工业标准32K×8 SRAM和EEPROM引脚排列
- 优于电池供电的SRAM模块，无需电池维护，单片可靠性
- 真正的表面贴装解决方案，无需返工步骤，在防潮、抗冲击和抗振动方面表现卓越
- 抗负电压下冲
- 待机电流典型值为20µA（VDD=5.5 V）
- 28 针 SOIC 封装，2.7V 至 5.5V 电源电压
- 工业温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
存储密度
256Kbit
接口
并行口
电源电压最小值
2.7V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
32K x 8位
时钟频率最大值
-
电源电压最大值
5.5V
针脚数
28引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001057