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FM24C16B-GTR
铁电存储器(FRAM), 16 Kbit(2K x 8)I2C, 1 MHz, 4.5 V至5.5 V电源, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
| 1+ | CNY15.270 (CNY17.2551) |
| 10+ | CNY13.900 (CNY15.707) |
| 50+ | CNY13.670 (CNY15.4471) |
| 100+ | CNY13.370 (CNY15.1081) |
| 250+ | CNY13.000 (CNY14.690) |
| 500+ | CNY12.680 (CNY14.3284) |
| 1000+ | CNY12.380 (CNY13.9894) |
| 2500+ | CNY9.720 (CNY10.9836) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM24C16B-GTR
库存编号2772909
也称为SP005662395, FM24C16B-GTR
技术数据表
存储密度16Kbit
记忆配置2K x 8位
接口I2C
时钟频率最大值1MHz
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FM24C16B-GTR是一款16千位（2K×8）串行（I²C）铁电随机存取存储器（F-RAM）。该16千位非易失性存储器采用先进的铁电工艺制造。 铁电随机存取存储器（F-RAM）兼具非易失性与类似RAM的读写性能。它能提供长达151年的可靠数据保留能力，同时消除了EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。由于写入操作无需为写入电路提供内部升压电源电压，F-RAM在写入过程中的功耗远低于EEPROM。 FM24C16B支持10^14次读写循环，其写入循环次数是EEPROM的1亿倍。这些特性使FM24C16B成为需要频繁或快速写入的非易失性存储应用的理想选择，应用场景涵盖数据记录（写入循环次数至关重要）到严苛的工业控制（EEPROM的漫长写入时间可能导致数据丢失）。
- NoDelay™写入技术，先进高可靠性铁电工艺
- 快速双线串行接口（I2C），最高支持1MHz频率
- 串行（I²C）EEPROM的直接硬件替代方案
- 支持 100KHz 和 400KHz 的传统时序
- 工作电压：VDD=4.5V至5.5V
- fSCL=100KHz时平均VDD电流最大值为100µA
- 待机电流为 4µA（典型值，SCL=SDA=VDD）
- 数据保持能力：在TA=85°C时可达10年
- 8引脚SOIC封装
- 工业温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
存储密度
16Kbit
接口
I2C
电源电压最小值
4.5V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
2K x 8位
时钟频率最大值
1MHz
电源电压最大值
5.5V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454