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FM24CL04B-GTR
铁电存储器(FRAM), 4 Kbit(512 x 8)I2C, 1 MHz, 2.7 V至3.6 V电源, SOIC-8
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| 10+ | CNY12.550 (CNY14.1815) |
| 50+ | CNY12.330 (CNY13.9329) |
| 100+ | CNY12.030 (CNY13.5939) |
| 250+ | CNY11.740 (CNY13.2662) |
| 500+ | CNY11.430 (CNY12.9159) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM24CL04B-GTR
库存编号2768026
也称为SP005662431, FM24CL04B-GTR
技术数据表
存储密度4Kbit
记忆配置512 x 8位
接口I2C
时钟频率最大值1MHz
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.65V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FM24CL04B-GTR是一款采用先进铁电工艺的4Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）兼具非易失性与RAM般的读写性能，可提供长达151年的可靠数据保留，同时消除了EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。 FM24CL04B支持高达10^14次读写循环，其写入循环次数是EEPROM的1亿倍。这些特性使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储应用的理想选择，应用场景涵盖数据记录（写入循环次数至关重要）到严苛的工业控制（EEPROM的漫长写入时间可能导致数据丢失）。 这些特性组合使系统能够以更低的开销实现更频繁的数据写入。
- 4-Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为512 × 8
- 高耐久性：100万亿次（10^14）读写循环，数据保留期达151年
- NoDelay™写入技术，先进高可靠性铁电工艺
- 快速双线串行接口（I2C），可直接替代串行（I2C）EEPROM硬件
- 最高1MHz频率，支持100KHz和400KHz传统时序
- 电源范围为 2.7 至 3.65V
- 待机电流为 3µA（典型值，SCL=SDA=VDD）
- 输出漏电流在VSS ≤ VIN ≤ VDD时最大为+1μA
- 8引脚SOIC封装
- 工业温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
存储密度
4Kbit
接口
I2C
电源电压最小值
2.7V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
512 x 8位
时钟频率最大值
1MHz
电源电压最大值
3.65V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
FM24CL04B-GTR 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002268