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| 10+ | CNY17.990 (CNY20.3287) |
| 25+ | CNY17.430 (CNY19.6959) |
| 50+ | CNY16.870 (CNY19.0631) |
| 100+ | CNY16.480 (CNY18.6224) |
| 250+ | CNY16.150 (CNY18.2495) |
| 500+ | CNY15.830 (CNY17.8879) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM24CL16B-DG
库存编号2772911
也称为SP005662443, FM24CL16B-DG
技术数据表
存储密度16Kbit
记忆配置2K x 8位
接口I2C
时钟频率最大值1MHz
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.65V
IC 外壳 / 封装DFN-EP
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FM24CL16B-DG是一款采用8引脚DFN-EP封装的16Kbit非易失性存储器。该F-RAM兼具非易失性与RAM般的读写性能,可提供长达151年的可靠数据保持能力,同时消除了EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。 与EEPROM不同,FM24CL16B以总线速度执行写入操作,无写入延迟。数据在成功传输至器件后立即写入存储阵列,无需数据轮询即可进入下一个总线周期。此外,该产品相较其他非易失性存储器具有显著更高的写入耐受度。 由于写入操作无需提升内部电源电压,F-RAM在写入过程中的功耗远低于EEPROM。FM24CL16B支持10^14次读写循环,其写入循环次数是EEPROM的1亿倍。
- 16Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 2 K × 8
- 先进高可靠性铁电工艺
- 快速双线串行接口(I2C)
- 低功耗:100KHz工作电流100µA,待机电流3µA(典型值)
- 低电压工作:VDD = 2.7V 至 3.65V
- 工业温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
存储密度
16Kbit
接口
I2C
电源电压最小值
2.7V
IC 外壳 / 封装
DFN-EP
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
2K x 8位
时钟频率最大值
1MHz
电源电压最大值
3.65V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000815