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FM24V01A-G
铁电RAM（FRAM），128Kbit，16K x 8bit，I2C，3.4 MHz，2 V至3.6 V电源，SOIC-8
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM24V01A-G
库存编号2767954
也称为SP005662511, FM24V01A-G
技术数据表
存储密度128Kbit
记忆配置16K x 8位
接口I2C
时钟频率最大值3.4MHz
电源电压最小值2V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FM24V01A-G采用先进铁电工艺制造的128Kbit非易失性存储器。该F-RAM兼具非易失性与RAM般的读写性能，可提供长达151年的可靠数据保持能力，同时消除了EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。 FM24V01A支持10^14次读写循环，其写入循环次数是EEPROM的1亿倍。这些特性使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储应用的理想选择，应用场景涵盖数据记录（写入循环次数至关重要）到严苛的工业控制（EEPROM的漫长写入时间可能导致数据丢失）。 这些特性组合使系统能够以更低的开销实现更频繁的数据写入。
- 128-Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 16K × 8
- 高耐久性：100万亿次（10^14）读写循环，数据保留期达151年
- NoDelay™写入技术，先进高可靠性铁电工艺
- 快速双线串行接口（I2C），可直接替代串行（I2C）EEPROM硬件
- 最高支持3.4MHz频率，兼容100KHz和400KHz传统时序
- 电源电压范围为2至3.6V
- VDD待机电流在SCL=SDA=VDD时最大为150µA
- 输出漏电流在VSS ≤ VIN ≤ VDD时最大为+1μA
- 8引脚SOIC封装
- 工业温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
存储密度
128Kbit
接口
I2C
电源电压最小值
2V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
16K x 8位
时钟频率最大值
3.4MHz
电源电压最大值
3.6V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000259