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FM25CL64B-GTR
铁电存储器(FRAM), 64 Kbit(8K x 8)SPI, 20 MHz, 2.7 V至3.65 V电源, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
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| 10+ | CNY26.950 (CNY30.4535) |
| 25+ | CNY26.250 (CNY29.6625) |
| 50+ | CNY25.700 (CNY29.041) |
| 100+ | CNY24.910 (CNY28.1483) |
| 250+ | CNY24.280 (CNY27.4364) |
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| 1000+ | CNY22.800 (CNY25.764) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM25CL64B-GTR
库存编号2749231
也称为SP005654173, FM25CL64B-GTR
技术数据表
存储密度64Kbit
记忆配置8K x 8位
接口SPI
时钟频率最大值20MHz
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.65V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FM25CL64B-GTR是一款采用先进铁电工艺的64Kbit非易失性存储器，封装于8引脚SOIC封装中。铁电随机存取存储器（F-RAM）具有非易失性，其读写性能与随机存取存储器（RAM）相似。它可提供长达151年的可靠数据保持能力，同时消除了串行闪存、EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，FM25CL64B以总线速度执行写入操作，无写入延迟。数据在成功传输至器件后立即写入存储阵列，无需数据轮询即可立即启动下一个总线周期。此外，该产品相较其他非易失性存储器具有显著的写入耐受性。FM25CL64B支持10^14次读写循环，其写入循环次数是EEPROM的1亿倍。这些特性使其成为需要频繁或快速写入操作的非易失性存储应用的理想选择。
- 64Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 8 K × 8
- 先进高可靠性铁电工艺
- 超快串行外设接口 (SPI)
- 低功耗：1MHz工作电流200µA，待机电流3µA（典型值）
- 低电压工作：VDD = 2.7V 至 3.65V
- 工业温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
存储密度
64Kbit
接口
SPI
电源电压最小值
2.7V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
8K x 8位
时钟频率最大值
20MHz
电源电压最大值
3.65V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
FM25CL64B-GTR 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Cyprus
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Cyprus
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002