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FM25V10-G
铁电存储器(FRAM), 1 Mbit(128K x 8)SPI, 40 MHz, 2 V至3.6 V电源, SOIC-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM25V10-G
库存编号2767968
也称为SP005657279, FM25V10-G
技术数据表
存储密度1Mbit
记忆配置128K x 8位
接口SPI
时钟频率最大值40MHz
电源电压最小值2V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FM25V10-G是一款采用8引脚SOIC封装的1Mbit串行（SPI）铁电随机存取存储器（F-RAM）。该1Mbit非易失性存储器采用先进铁电工艺制造。铁电随机存取存储器兼具非易失性与类似RAM的读写性能，可提供长达151年的可靠数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，FM25V10以总线速度执行写入操作。无需写入延迟。数据在成功传输至器件后立即写入存储阵列，无需数据轮询即可启动下一个总线周期。此外，该产品具备远超其他非易失性存储器的写入耐受性，支持10^14次读写循环，其写入循环次数是EEPROM的1亿倍。
- 1Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 128 K × 8
- 超快串行外设接口 (SPI)
- 直接硬件替代串行闪存和 EEPROM
- 低功耗：1MHz工作电流300μA，待机电流90μA（典型值）
- 低电压工作：VDD = 2.7V 至 3.6V
- 工业温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
存储密度
1Mbit
接口
SPI
电源电压最小值
2V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
128K x 8位
时钟频率最大值
40MHz
电源电压最大值
3.6V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
FM25V10-G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002499