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FM25W256-GTR
铁电存储器(FRAM), 256 Kbit(32K x 8)SPI, 20 MHz, 2.7 V至5.5 V电源, SOIC-8
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| 25+ | CNY55.990 (CNY63.2687) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM25W256-GTR
库存编号2772923
也称为SP005657347, FM25W256-GTR
技术数据表
存储密度256Kbit
记忆配置32K x 8位
接口SPI
时钟频率最大值20MHz
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值5.5V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FM25W256-GTR是一款256Kbit（32K×8）串行（SPI）铁电随机存取存储器（F-RAM）。该256Kbit非易失性存储器采用先进铁电工艺制造。铁电随机存取存储器（F-RAM）兼具非易失性与类似RAM的读写性能。 该器件可提供长达151年的可靠数据保持能力，同时消除了串行闪存、EEPROM及其他非易失性存储器带来的复杂性、开销及系统级可靠性问题。FM25W256支持10^14次读写循环，其写入循环次数是EEPROM的1亿倍。 这些特性使FM25W256成为需要频繁或快速写入的非易失性存储应用的理想选择。应用场景涵盖数据采集（写入周期数量至关重要）到严苛的工业控制（串行闪存或EEPROM的漫长写入时间可能导致数据丢失）。作为硬件直接替换方案，FM25W256为串行EEPROM或闪存用户带来显著优势。
- NoDelay™写入技术，先进高可靠性铁电工艺
- 超高速串行外设接口（SPI），最高支持20MHz频率
- 直接硬件替代串行闪存和 EEPROM
- 支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
- 精密写保护功能，通过写保护引脚（低电平有效WP）实现硬件保护
- 软件保护：写禁用指令，支持1/4、1/2或全数组的软件块保护
- 宽电压工作：VDD=2.7V至5.5V
- VDD供电电流为0.25mA（fSCK=1MHz时）
- VDD待机电流典型值为15µA（CS=VDD且为低电平有效时，其余所有输入为VSS或VDD）
- 8 引脚 SOIC 封装，-40°C 至 +85°C 工业温度范围
技术规格
存储密度
256Kbit
接口
SPI
电源电压最小值
2.7V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
32K x 8位
时钟频率最大值
20MHz
电源电压最大值
5.5V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
FM25W256-GTR 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009072