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FM28V020-SG
铁电存储器(FRAM), 256 Kbit(32K x 8)并行, 15 MHz, 2 V至3.6 V电源, SOIC-28
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
| 1+ | CNY103.680 (CNY117.1584) |
| 10+ | CNY96.460 (CNY108.9998) |
| 25+ | CNY93.430 (CNY105.5759) |
| 50+ | CNY91.220 (CNY103.0786) |
| 100+ | CNY86.970 (CNY98.2761) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM28V020-SG
库存编号2767970
也称为SP005657351, FM28V020-SG
技术数据表
存储密度256Kbit
记忆配置32K x 8位
接口并行口
时钟频率最大值15MHz
电源电压最小值2V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数28引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FM28V020-SG是一款256Kbit（32K×8）铁电随机存取存储器（F-RAM）。作为非易失性存储器，其读写特性与标准SRAM相似。铁电随机存取存储器（F-RAM）具有非易失性，即断电后数据仍可保留。 其数据保持时间超过151年，同时消除了电池备份SRAM（BBSRAM）存在的可靠性隐患、功能缺陷及系统设计复杂性。凭借快速写入时序和高写入耐受性，F-RAM在性能上超越其他存储器类型。FM28V020的工作原理与其他RAM器件相似，因此可直接替代系统中的标准SRAM。 读写周期可通过低电平有效CE引脚触发，或仅需改变地址即可实现。基于独特的铁电存储工艺，F-RAM具有非易失性特性。这些特性使FM28V020成为需要频繁或快速写入操作的非易失性存储应用的理想选择。
- 高耐久性：100万亿次（10^14）读写操作，支持NoDelay™写入技术
- 页模式操作，采用先进高可靠性铁电工艺
- 兼容SRAM，采用工业标准32K×8 SRAM引脚排列
- 70ns访问时间，140ns周期时间
- 优于电池供电的SRAM模块，无需电池维护，单片可靠性
- 真正的表面贴装解决方案，无需返工步骤，在防潮、抗冲击和抗振动方面表现卓越
- 抗负电压下冲
- 低电压工作：VDD=2.0V至3.6V
- 待机电流典型值为90µA（VDD=3.6V，CE为VDD下的低电平有效）
- 28 引脚 SOIC 封装，-40°C 至 +85°C 工业温度范围
技术规格
存储密度
256Kbit
接口
并行口
电源电压最小值
2V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
记忆配置
32K x 8位
时钟频率最大值
15MHz
电源电压最大值
3.6V
针脚数
28引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454