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FZ2000R33HE4BOSA1
IGBT模块, 单开关, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Module
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FZ2000R33HE4BOSA1
库存编号3324632
产品范围IHM-B Series
也称为FZ2000R33HE4, SP003062218
技术数据表
IGBT配置单开关
连续集电极电流2kA
集电极-发射极饱和电压2.45V
功率耗散-
工作温度最高值150°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接接片
最大集电极发射电压3.3kV
IGBT技术IGBT 4 [Trench/Field Stop]
晶体管安装面板
产品范围IHM-B Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
FZ2000R33HE4BOSA1 is a IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode. Potential applications includes motor drives, traction drives, UPS systems, medium-voltage converters, high-power converters, active frontend (energy recovery). Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068.
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- High power density, isolated base plate
- High DC stability, high short-circuit capability
- Low switching losses, unbeatable robustness
- Stray inductance module is 6nH (typ)
- Module lead resistance, terminals - chip is 0.08mohm (TC = 25 °C, per switch)
- Collector-emitter voltage is 3300V (Tvj = -40°C)
- Repetitive peak collector current is 4000A (tp limited by Tvj op)
- Gate threshold voltage is 5.80V (typ, IC = 94mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
技术规格
IGBT配置
单开关
集电极-发射极饱和电压
2.45V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
接片
IGBT技术
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
产品范围
IHM-B Series
连续集电极电流
2kA
功率耗散
-
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
3.3kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：1.151