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IAUC45N04S6N070HATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 45 A, 45 A, 0.0056 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUC45N04S6N070HATMA1
库存编号3648081RL
产品范围OptiMOS 6 Series
也称为IAUC45N04S6N070H, SP003863380
技术数据表
11,991 有货
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2885 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
9106 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY5.410 (CNY6.1133) |
| 500+ | CNY5.100 (CNY5.763) |
| 1000+ | CNY4.800 (CNY5.424) |
| 5000+ | CNY4.480 (CNY5.0624) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 1
CNY541.00 (CNY611.33 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUC45N04S6N070HATMA1
库存编号3648081RL
产品范围OptiMOS 6 Series
也称为IAUC45N04S6N070H, SP003863380
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续45A
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道45A
在电阻RDS（上）0.0056ohm
连续漏极电流 Id P沟道45A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0056ohm
漏源导通电阻P沟道0.0056ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.6V
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
功耗 Pd41W
耗散功率N沟道41W
耗散功率P沟道41W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 6 Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
40V
电流, Id 连续
45A
连续漏极电流 Id N沟道
45A
连续漏极电流 Id P沟道
45A
漏源通态电阻N沟道
0.0056ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TDSON
功耗 Pd
41W
耗散功率P沟道
41W
产品范围
OptiMOS 6 Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
在电阻RDS（上）
0.0056ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0056ohm
阈值栅源电压最大值
2.6V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
41W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001