打印页面
IAUCN10S5L094DATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 60 A, 0.0094 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
3,398 有货
需要更多？
3398 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.690 (CNY16.5997) |
| 10+ | CNY10.650 (CNY12.0345) |
| 100+ | CNY8.750 (CNY9.8875) |
| 500+ | CNY7.640 (CNY8.6332) |
| 1000+ | CNY6.810 (CNY7.6953) |
| 5000+ | CNY6.780 (CNY7.6614) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY14.69 (CNY16.60 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUCN10S5L094DATMA1
库存编号4551029
产品范围OptiMOS Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.0094ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道94W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
OptiMOS Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
0.0094ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
94W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001