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产品概述
IDD04SG60CXTMA2 is a 3rd generation thinQ!™ SiC schottky diode. Application includes SMPS e.g.; CCM PFC, motor drives, solar applications, UPS.
- Revolutionary semiconductor material silicon carbide
- Switching behaviour benchmark
- No reverse recovery / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- High surge current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Optimized for high temperature operation, lowest figure of merit QC/IF
- Repetitive peak reverse voltage is 600V (T j=25°C), total capacitive charge is 4.5nC (typ,T j=150°C)
- Continuous forward current is 4A (T C<lt/>130°C)
- PG-TO252-3 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
技术规格
产品范围
thinQ Gen III Series
反向重复峰值电压
600V
总电容充电
4.5nC
引脚数
3引脚
二极管安装
表面安装
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
二极管配置
单
平均正向电流
4A
二极管封装类型
TO-252 (DPAK)
工作温度最高值
175°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000907