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IKB20N60H3ATMA1
IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.280 (CNY22.9164) |
| 10+ | CNY13.080 (CNY14.7804) |
| 100+ | CNY9.630 (CNY10.8819) |
| 500+ | CNY7.870 (CNY8.8931) |
| 1000+ | CNY7.690 (CNY8.6897) |
| 5000+ | CNY7.490 (CNY8.4637) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IKB20N60H3ATMA1
库存编号3227592
产品范围HighSpeed 3
也称为IKB20N60H3, SP000852234
技术数据表
连续集电极电流40A
集电极-发射极饱和电压1.95V
功率耗散170W
最大集电极发射电压600V
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
晶体管安装表面安装
产品范围HighSpeed 3
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
连续集电极电流
40A
功率耗散
170W
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
工作温度最高值
175°C
产品范围
HighSpeed 3
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极-发射极饱和电压
1.95V
最大集电极发射电压
600V
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003