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IMBG120R034M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 5+ | CNY73.910 (CNY83.5183) |
| 10+ | CNY60.820 (CNY68.7266) |
| 50+ | CNY55.430 (CNY62.6359) |
| 100+ | CNY50.030 (CNY56.5339) |
| 250+ | CNY49.030 (CNY55.4039) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY86.99 (CNY98.30 含税)
品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
58A
漏源接通状态电阻
0.034ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
278W
产品范围
CoolSiC Mosfet 1200V G2
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001613