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IMBG120R045M1HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 5+ | CNY81.660 (CNY92.2758) |
| 10+ | CNY68.680 (CNY77.6084) |
| 50+ | CNY64.300 (CNY72.659) |
| 100+ | CNY59.920 (CNY67.7096) |
| 250+ | CNY58.730 (CNY66.3649) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R045M1HXTMA1
库存编号3582462
也称为IMBG120R045M1H, SP005349829
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续47A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.045ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散227W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
47A
漏源接通状态电阻
0.045ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
227W
产品范围
CoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814