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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY57.580 (CNY65.0654) |
| 100+ | CNY56.450 (CNY63.7885) |
| 500+ | CNY47.800 (CNY54.014) |
包装规格:单件(切割供应)
最低: 10
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R090M1HXTMA1
库存编号3582464RL
也称为IMBG120R090M1H, SP004463788
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续26A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.09ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散136W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Mosfet 1200V G2
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
26A
漏源接通状态电阻
0.09ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
136W
产品范围
CoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001814