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IMBG120R116M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY47.560 (CNY53.7428) |
| 10+ | CNY33.230 (CNY37.5499) |
| 100+ | CNY26.880 (CNY30.3744) |
| 500+ | CNY23.820 (CNY26.9166) |
| 1000+ | CNY20.460 (CNY23.1198) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY47.56 (CNY53.74 含税)
品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
21.2A
漏源接通状态电阻
0.1157ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
123W
产品范围
CoolSiC Mosfet 1200V G2
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001