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IMBG65R057M1HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG65R057M1HXTMA1
库存编号3928614
也称为SP005539175, IMBG65R057M1H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续39A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.057ohm
晶体管封装类型TO-263
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散161W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC M1 Trench Series
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
39A
漏源接通状态电阻
0.057ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
MSL
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
161W
产品范围
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001588