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IMBG65R057M1HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY62.360 (CNY70.4668) |
| 10+ | CNY42.390 (CNY47.9007) |
| 100+ | CNY32.670 (CNY36.9171) |
| 500+ | CNY32.600 (CNY36.838) |
| 1000+ | CNY28.390 (CNY32.0807) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY62.36 (CNY70.47 含税)
品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
39A
漏源接通状态电阻
0.057ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
161W
产品范围
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001588