打印页面
IMT65R010M2HXUMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 168 A, 650 V, 0.0091 ohm, HSOF
可订购
在此登记您的兴趣
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY139.930 (CNY158.1209) |
| 5+ | CNY132.840 (CNY150.1092) |
| 10+ | CNY125.670 (CNY142.0071) |
| 50+ | CNY118.710 (CNY134.1423) |
| 100+ | CNY111.660 (CNY126.1758) |
| 250+ | CNY109.430 (CNY123.6559) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY139.93 (CNY158.12 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMT65R010M2HXUMA1
库存编号4677106
也称为IMT65R010M2H, SP006051121
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续168A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.0091ohm
晶体管封装类型HSOF
针脚数8引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散681W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
168A
漏源接通状态电阻
0.0091ohm
针脚数
8引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
HSOF
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
681W
产品范围
CoolSiC Gen 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001