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IMW65R057M1HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW65R057M1HXKSA1
库存编号3889203
产品范围CoolSiC Series
也称为SP005423801, IMW65R057M1H
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY55.580 (CNY62.8054) |
| 10+ | CNY33.890 (CNY38.2957) |
| 100+ | CNY32.130 (CNY36.3069) |
| 500+ | CNY30.370 (CNY34.3181) |
| 1000+ | CNY29.090 (CNY32.8717) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW65R057M1HXKSA1
库存编号3889203
产品范围CoolSiC Series
也称为SP005423801, IMW65R057M1H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续35A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.057ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散133W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
35A
漏源接通状态电阻
0.057ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
133W
产品范围
CoolSiC Series
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536