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IMW65R083M1HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
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| 50+ | CNY41.820 (CNY47.2566) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW65R083M1HXKSA1
库存编号3889204
产品范围CoolSiC Series
也称为SP005423802, IMW65R083M1H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续24A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.083ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散104W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
24A
漏源接通状态电阻
0.083ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
104W
产品范围
CoolSiC Series
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001