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IMYH200R100M1HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 26 A, 2 kV, 0.131 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMYH200R100M1HXKSA1
库存编号4349223
产品范围CoolsiC Series
也称为IMYH200R100M1H, SP005427376
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|---|---|
| 1+ | CNY118.540 (CNY133.9502) |
| 5+ | CNY103.020 (CNY116.4126) |
| 10+ | CNY87.490 (CNY98.8637) |
| 50+ | CNY82.310 (CNY93.0103) |
| 100+ | CNY77.130 (CNY87.1569) |
| 250+ | CNY76.830 (CNY86.8179) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMYH200R100M1HXKSA1
库存编号4349223
产品范围CoolsiC Series
也称为IMYH200R100M1H, SP005427376
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续26A
漏源电压, Vds2kV
漏源接通状态电阻0.131ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.5V
功率耗散217W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolsiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
26A
漏源接通状态电阻
0.131ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
5.5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
217W
产品范围
CoolsiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008788