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IMZA120R022M2HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 80 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZA120R022M2HXKSA1
库存编号4717035
产品范围CoolSiC Series
也称为SP006133738, IMZA120R022M2H
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技术数据表
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY116.440 (CNY131.5772) |
| 5+ | CNY93.930 (CNY106.1409) |
| 10+ | CNY71.420 (CNY80.7046) |
| 50+ | CNY69.540 (CNY78.5802) |
| 100+ | CNY67.660 (CNY76.4558) |
| 250+ | CNY65.780 (CNY74.3314) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY116.44 (CNY131.58 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZA120R022M2HXKSA1
库存编号4717035
产品范围CoolSiC Series
也称为SP006133738, IMZA120R022M2H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续80A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.029ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散329W
工作温度最高值150°C
产品范围CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
80A
漏源接通状态电阻
0.029ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
329W
产品范围
CoolSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001