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IPAN70R600P7SXKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 100+ | CNY6.410 (CNY7.2433) |
| 500+ | CNY5.200 (CNY5.876) |
| 1000+ | CNY3.980 (CNY4.4974) |
| 5000+ | CNY2.770 (CNY3.1301) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPAN70R600P7SXKSA1
库存编号3227628
产品范围CoolMOS P7
也称为IPAN70R600P7S, SP001682068
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds700V
电流, Id 连续8.5A
漏源接通状态电阻0.49ohm
晶体管封装类型TO-220FP
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散24.9W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS P7
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8.5A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
24.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
700V
漏源接通状态电阻
0.49ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS P7
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
IPAN70R600P7SXKSA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0043