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IPB043N10NF2SATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.370 (CNY18.4981) |
| 10+ | CNY10.840 (CNY12.2492) |
| 100+ | CNY7.410 (CNY8.3733) |
| 500+ | CNY6.700 (CNY7.571) |
| 1000+ | CNY5.970 (CNY6.7461) |
| 5000+ | CNY5.250 (CNY5.9325) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
135A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
167W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
3800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.8V
针脚数
3引脚
产品范围
StronglRFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00175