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IPB107N20NAATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY64.670 (CNY73.0771) |
| 5+ | CNY54.780 (CNY61.9014) |
| 10+ | CNY44.880 (CNY50.7144) |
| 50+ | CNY40.700 (CNY45.991) |
| 100+ | CNY36.520 (CNY41.2676) |
| 250+ | CNY35.800 (CNY40.454) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB107N20NAATMA1
库存编号2480802
也称为IPB107N20NA, SP000877674
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续88A
漏源接通状态电阻0.0107ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散300W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
IPB107N20NAATMA1 的替代之选
找到 2 件产品
产品概述
The IPB107N20NA is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM, MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest power density
- Lowest board space consumption
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
- Qualified according to AEC-Q101
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
88A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.0107ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143