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IPB60R040C7ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB60R040C7ATMA1
库存编号2986461
产品范围CoolMOS C7
也称为IPB60R040C7, SP001277610
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.034ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散227W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS C7
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
600V CoolMOS™ C7功率晶体管, 是高压功率MOSFET的一项革命性技术。采用超级结(SJ)原理设计, 适用于高功率/高性能SMPS的PFC级和PWM级(TTF, LLC), 例如计算, 服务器, 电信, UPS和太阳能。
- 适用于硬开关和软开关 (PFC和高性能LLC)
- 提高MOSFET dv/dt性能, 可达120V/ns
- 良好的RDS(on)/封装
- 工业级应用, 符合JEDEC (J-STD20和JESD22)标准
- 采用PFC和PWM拓扑, 提高规模经济
- 高dv/dt限制, 可实现更快的开关速度, 从而提高效率
- 降低开关损耗, 提高系统效率
- 小封装, 功率密度更高
- 低Eoss和Qg, 可以在不降低效率的情况下实现更高的开关频率
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
227W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.034ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00181