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IPD50N04S408ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 50 A, 0.0072 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
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| 500+ | CNY2.960 (CNY3.3448) |
| 1000+ | CNY2.800 (CNY3.164) |
| 5000+ | CNY2.650 (CNY2.9945) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD50N04S408ATMA1
库存编号2443396RL
也称为IPD50N04S4-08, SP000711450
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.0072ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散46W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS®-T2 power-transistor
- N-channel - enhancement mode
- Automotive grade AEC Q101 qualified
- 100% avalanche tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in lead-times. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
46W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.0072ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003