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IPD50P04P4L11ATMA1
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY6.390 (CNY7.2207) |
| 500+ | CNY4.330 (CNY4.8929) |
| 1000+ | CNY3.700 (CNY4.181) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD50P04P4L11ATMA1
库存编号2443434RL
也称为IPD50P04P4L-11, SP000671156
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.0106ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散58W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
IPD50P04P4L11ATMA1 的替代之选
找到 8 件产品
产品概述
IPD50P04P4L-11是一款P沟道逻辑电平增强模式MOSFET, 具有非常低的开关与导通功耗, 可实现超高热效率.
- AEC-Q101合规
- MSL1高达260°C峰值回流
- 绿色设备
- 100％经过雪崩测试
- 高侧驱动不需要电荷泵
- 简单的接口驱动电路
- 业界最低的RDS (ON)
- 高电流能力
- 坚固的包装, 良好的品质与可靠性
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
58W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.0106ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003