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IPD60N10S4L12ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD60N10S4L12ATMA1
库存编号2725850RL
产品范围OptiMOS T2
也称为IPD60N10S4L-12, SP000866550
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY5.060 (CNY5.7178) |
| 500+ | CNY5.020 (CNY5.6726) |
| 1000+ | CNY4.980 (CNY5.6274) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD60N10S4L12ATMA1
库存编号2725850RL
产品范围OptiMOS T2
也称为IPD60N10S4L-12, SP000866550
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻0.012ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散94W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
94W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.012ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
OptiMOS T2
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002