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IPD60R1K0CEAUMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY5.880 (CNY6.6444) |
| 10+ | CNY4.130 (CNY4.6669) |
| 100+ | CNY2.820 (CNY3.1866) |
| 500+ | CNY2.360 (CNY2.6668) |
| 1000+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
| 5000+ | CNY1.750 (CNY1.9775) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD60R1K0CEAUMA1
库存编号2781166
产品范围CoolMOS CE
也称为IPD60R1K0CE, SP001396896
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续6.8A
漏源接通状态电阻0.86ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散61W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS CE
合规-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.8A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
61W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.86ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS CE
MSL
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426