打印页面
IPD60R1K4C6ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
5,552 有货
需要更多？
5552 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.660 (CNY9.7858) |
| 10+ | CNY5.530 (CNY6.2489) |
| 100+ | CNY4.110 (CNY4.6443) |
| 500+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 1000+ | CNY3.040 (CNY3.4352) |
| 5000+ | CNY2.610 (CNY2.9493) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY8.66 (CNY9.79 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD60R1K4C6ATMA1
库存编号2726051
产品范围CoolMOS C6
也称为IPD60R1K4C6, SP001292870
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续3.2A
漏源接通状态电阻1.26ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散28.4W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS C6
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.2A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
28.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
1.26ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS C6
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002