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IPD85P04P407ATMA2
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 85 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD85P04P407ATMA2
库存编号3290150RL
产品范围OptiMOS-P2
也称为IPD85P04P4-07, SP002325774
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|---|---|
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| 500+ | CNY5.380 (CNY6.0794) |
| 1000+ | CNY5.010 (CNY5.6613) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD85P04P407ATMA2
库存编号3290150RL
产品范围OptiMOS-P2
也称为IPD85P04P4-07, SP002325774
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续85A
漏源接通状态电阻7300µohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散88W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS-P2
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
85A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
88W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
7300µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
OptiMOS-P2
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000665