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IPD90N06S4L03ATMA2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY10.770 (CNY12.1701) |
| 50+ | CNY9.600 (CNY10.848) |
| 100+ | CNY8.430 (CNY9.5259) |
| 500+ | CNY6.090 (CNY6.8817) |
| 1000+ | CNY5.630 (CNY6.3619) |
| 2000+ | CNY5.350 (CNY6.0455) |
| 5000+ | CNY5.230 (CNY5.9099) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY53.85 (CNY60.85 含税)
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD90N06S4L03ATMA2
库存编号2839466
产品范围OptiMOS T2
也称为IPD90N06S4L-03, SP001028764
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续90A
漏源接通状态电阻3500µohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散150W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS® -T2功率晶体管
- N沟道-增强模式
- 符合AEC Q101标准
- 175°C工作温度
- 100%经过雪崩测试
- 极低RDSon
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
90A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
3500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
OptiMOS T2
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
IPD90N06S4L03ATMA2 的替代之选
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001