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IPG20N04S412AATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0122 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY5.370 (CNY6.0681) |
| 500+ | CNY4.230 (CNY4.7799) |
| 1000+ | CNY3.580 (CNY4.0454) |
| 5000+ | CNY3.090 (CNY3.4917) |
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N04S412AATMA1
库存编号3514433RL
也称为IPG20N04S4-12A, SP000938098
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续20A
连续漏极电流 Id N沟道20A
在电阻RDS（上）0.011ohm
连续漏极电流 Id P沟道20A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0122ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TDSON
阈值栅源电压最大值3V
功耗 Pd41W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道41W
耗散功率P沟道41W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2 Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.0122ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
41W
产品范围
OptiMOS T2 Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
20A
在电阻RDS（上）
0.011ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TDSON
功耗 Pd
41W
耗散功率N沟道
41W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143