打印页面
IPG20N06S4L14AATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S4L14AATMA1
库存编号3816960RL
也称为SP001023846, IPG20N06S4L-14A
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续20A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.0116ohm
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0137ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TDSON
阈值栅源电压最大值1.7V
针脚数8引脚
功耗 Pd50W
耗散功率N沟道50W
耗散功率P沟道50W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2 Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
20A
在电阻RDS（上）
0.0116ohm
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.0137ohm
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
1.7V
功耗 Pd
50W
耗散功率P沟道
50W
产品范围
OptiMOS T2 Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TDSON
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
50W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0006