打印页面
IPG20N10S4L22AATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
15,195 有货
需要更多？
15195 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.720 (CNY16.6336) |
| 10+ | CNY9.040 (CNY10.2152) |
| 100+ | CNY7.170 (CNY8.1021) |
| 500+ | CNY6.030 (CNY6.8139) |
| 1000+ | CNY5.560 (CNY6.2828) |
| 5000+ | CNY4.990 (CNY5.6387) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY14.72 (CNY16.63 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N10S4L22AATMA1
库存编号2725856
也称为IPG20N10S4L-22A, SP001091984
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.02ohm
漏源导通电阻P沟道0.02ohm
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道60W
耗散功率P沟道60W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2 Series
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS™ -T2 power transistor
- Dual N-channel logic level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
- Feasible for automatic optical inspection (AOI)
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
0.02ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
60W
产品范围
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.02ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
60W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000389