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IPG20N10S4L35ATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N10S4L35ATMA1
库存编号2725858
也称为IPG20N10S4L-35, SP000859022
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.029ohm
漏源导通电阻P沟道0.029ohm
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道43W
耗散功率P沟道43W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2 Series
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS® - T2功率晶体管
- 双N沟道逻辑电平 - 增强模式
- 符合AEC Q101标准
- 175°C工作温度
- 100%经过雪崩测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
0.029ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
43W
产品范围
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.029ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
43W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000389