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IPN60R1K5PFD7SATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPN60R1K5PFD7SATMA1
库存编号3585353
产品范围CoolMOS PFD7 SJ
也称为IPN60R1K5PFD7S, SP004748876
技术数据表
1,908 有货
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1908 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY4.250 (CNY4.8025) |
| 10+ | CNY3.710 (CNY4.1923) |
| 100+ | CNY2.570 (CNY2.9041) |
| 500+ | CNY2.150 (CNY2.4295) |
| 1000+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
| 5000+ | CNY1.540 (CNY1.7402) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY4.25 (CNY4.80 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPN60R1K5PFD7SATMA1
库存编号3585353
产品范围CoolMOS PFD7 SJ
也称为IPN60R1K5PFD7S, SP004748876
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续3.6A
漏源接通状态电阻1.23ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散6W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS PFD7 SJ
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.6A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
1.23ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS PFD7 SJ
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001