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IPN60R360P7SATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY5.800 (CNY6.554) |
| 100+ | CNY4.110 (CNY4.6443) |
| 500+ | CNY3.170 (CNY3.5821) |
| 1000+ | CNY2.810 (CNY3.1753) |
| 5000+ | CNY2.440 (CNY2.7572) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPN60R360P7SATMA1
库存编号2986470
产品范围CoolMOS P7
也称为IPN60R360P7S, SP001681928
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续9A
漏源接通状态电阻0.3ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散7W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS P7
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
9A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001